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MOS管外部封裝-最新封裝形式概覽

來源：凱高達資訊組時間：2012-03-07 瀏覽次數(shù)：3929

　　MOS管外部封裝-最新封裝形式概覽

　　下面我們介紹主要的MOSFET生產(chǎn)廠商所采用的最新封裝形式。

　　瑞薩（RENESAS）的WPAK、LFPAK和LFPAK-I封裝

　　1、WPAK是瑞薩開發(fā)的一種高熱輻射封裝，通過仿D-PAK封裝那樣把芯片散熱板焊接在主板上，通過主板散熱，使小形封裝的WPAK也可以達到D-PAK的輸出電流。WPAK-D2封裝了高/低2顆MOSFET，減小布線電感。

　　2、LFPAK和LFPAK-I是瑞薩開發(fā)的另外2種與SO-8兼容的小形封裝。LFPAK類似D-PAK比D-PAK體積小。LFPAK-i是將散熱板向上，通過散熱片散熱。

瑞薩WPAK封裝

LFPAK和LFPAK-I封裝

　　威世（Vishay）的Power-PAK和Polar-PAK封裝

　　Power-PAK是威世公司注冊的MOSFET封裝名稱。Power-PAK包括有Power-PAK1212-8、Power-PAK SO-8兩種規(guī)格。Polar PAK是雙面散熱的小形封裝。

Power-PAK1212-8

Power-PAK SO-8

Polar PAK

　　安森美（Onsemi）的SO-8和WDFN8扁平引腳（Flat Lead）封裝

　　安美森半導體開發(fā)了2種扁平引腳的MOSFET，其中SO-8兼容的扁平引腳被很多板卡采用。

SO-8扁平引腳封裝

WDFN8封裝

　　菲利普（Philps）的LFPAK和QLPAK封裝

　　首先開發(fā)SO-8的Philps也有改進SO-8的新封裝技術(shù)，就是LFPAK和QLPAK。

LFPAK封裝

QLPAK封裝

　　意法（ST）半導體的PowerSO-8封裝

　　意法半導體的SO-8改進技術(shù)叫做Power SO-8。

Power SO-8封裝

　　飛兆（Fairchild）半導體的Power 56封裝

　　飛兆半導體的SO-8改進技術(shù)叫做Power 56。

Power 56封裝

　　國際整流器（IR）的Direct FET封裝

　　1、Direct FET封裝屬于反裝型的，漏極（D）的散熱板朝上，并覆蓋金屬外殼，通過金屬外殼散熱。

　　2、Direct FET封裝極大地改善了散熱，并且占用空間更小，散熱良好

Direct FET封裝

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