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?高靈敏度(微觸發)單向可控硅，會在高溫下因陽-陰極間的漏電流而誤觸發，應確保不超過T_JMAX。為了可靠地關斷單向可控硅，負載電流必須降到低于維持電流I_H并維持一定的時間。

??? 對單向可控硅來說，當柵極電壓達到門限值V_GT且柵電流達到門限值I_GT時，可控硅被觸發導通。當觸發電流的脈寬較窄時，則應提高觸發電平。當負載電流超過單向可控硅的閂電流I_L時，即使此時的柵電流減為零，可控硅仍能維持導通狀態、為了保證電路在環境最低溫度情況下也能正常工作，則要求驅動電路能提供足夠高的電壓、電流及占空比的控制信號。

??? 標準的雙向可控硅既可被柵極的正向電流觸發，也能被柵極的反向電流觸發，它可以在四個象限內導通。在負載電流為零時，最好用反相的直流或單極性脈沖的(柵極)電流觸發。

??? 在通常的交流相位控制電路中，如電燈調光器和家用馬達調速器等，可控硅G與MT2的極性要一致，在設計可控硅時要避免在3+區域內工作(MT2為-，G為+)。

??? 值得注意的是，雙向可控硅可能在一些意想不到的情況下觸發導通，其后果有些問題不大，而有些則有潛在的破壞性。

??? 1．柵極上的噪聲電平

??? 在有電噪聲的環境中，如果柵極上的噪聲電壓超過V_GT，并有足夠的柵電流激發可控硅內部的正反饋，則也會被觸發導通。

??? 應用安裝時，首先耍使柵極外的連線盡可能短。當連線不能很短時，可用絞線或屏蔽線來減小干擾的侵入。然后在G與MT1之聞加一個1K的電阻來降低其靈敏度，也可以再并聯一個100NF的電容，來濾掉高頻噪聲。

??? 2.關于轉換電壓變化率

??? 當驅動一個大的電感性負載時，在負載電壓和電流間有一個很大的相移。當負載電流過零時，雙向可控硅開始換向，但由于相移的關系，電壓將不會是零。所以要求可控硅要迅速關斷這個電壓。如果這時換向電壓的變化超過允許值時，就沒有足夠的時間使結間的電荷釋放掉，而被迫使雙向可控硅回到導通狀態。

??? 為了克服上述問題，可以在端子MT1和MT2之間加一個RC網絡來限制電壓的變化，以防止誤觸發。一般，電阻取100Ω，電容取100NF。值得注意的是此電阻不能省掉。

??? 3．關于轉換電流變化率

??? 當負載電流增大，電源頻率的增高或電源為非正弦波時，會使轉換電流變化率變高，這種情況最易在感性負載的情況下發生，很容易導致器件的損壞。此時可以在負載回路中串聯一只幾毫亨的空氣電感。

??? 4．關于可控硅開路電壓變化率D_VD／D_T

??? 在處于截止狀態的雙向可控硅兩端加一個小于它的V_DFM的高速變化的電壓時，內部電容的電流會產生足夠的柵電流來使可控硅導通。這在高溫下尤為嚴重，在這種情況下可以在MT1和MT2間加一個RC緩沖電路來限制D_VD／D_T，或可采用高速可控硅。

??? 5．關于連續峰值開路電壓V_DRM

??? 在電源不正常的情況下，可控硅兩端的電壓會超過連續峰值開路電壓V_DRM的最大值，此時可控硅的漏電流增大并擊穿導通。如果負載能允許很大的浪涌電流，那么硅片上局部的電流密度就很高，使這一小部分先導通。導致芯片燒毀或損壞。另外白熾燈，容性負載或短路保護電路會產生較高的浪涌電流，這時可外加濾波器和鉗位電路來防止尖峰(毛刺)電壓加到雙向可控硅上。